Herstellungsverfahren für einen Dünnfilmtransistor und Herstellungsverfahren für eine Display-Anordnung

EP2232561 Art A1 29. September 2010

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2232561
Aktenzeichen: EP08857769
Anmeldetag: 21. November 2008
Veröffentlichung: 29. September 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786G09F9/30H01L21/336H01L29/417H01L29/423H01L29/49H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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