Verfahren zur Herstellung eines Verbundhalbleiters auf Basis eines Gruppe-Iii-Nitrids, Wafer mit dem Verbundhalbleiter auf Basis eines Gruppe-Iii-Nitrids sowie Verbundhalbleitervorrichtung auf Basis eines Gruppe-Iii-Nitrids

EP2235238 Art A1 6. Oktober 2010

Anmelder: Toyoda Gosei Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2235238
Aktenzeichen: EP09705688
Anmeldetag: 27. Januar 2009
Veröffentlichung: 6. Oktober 2010
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/38C23C16/20C23C16/34C30B25/18H01L21/205H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Toyoda Gosei Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toyoda Gosei

Toyoda Gosei ist ein japanischer Automobilzulieferer aus der Toyota-Unternehmensgruppe mit Schwerpunkt auf Gummi-, Kunststoff- und LED-Komponenten. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Fahrzeugtechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Kunststofftechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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