Verbessertes Herstellungsverfahren für Independent-Gate- oder Gate-All-Around-Planartransistoren
EP2235745
Art A1
6. Oktober 2010
Anmelder: NXP B.V., STMicroelectronics (Crolles 2) SAS 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2235745
- Aktenzeichen
- EP08865008
- Anmeldetag
- 18. Dezember 2008
- Veröffentlichung
- 6. Oktober 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
STMicroelectronics (Crolles 2) SAS - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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