Dünnfilmtransistoren mit Langem Schwachdotiertem Drain auf einem Soi-Substrat und Herstellungsprozess dafür
EP2235754
Art A2
6. Oktober 2010
Anmelder: Corning Incorporated, Kyung Hee University 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2235754
- Aktenzeichen
- EP09707745
- Anmeldetag
- 27. Januar 2009
- Veröffentlichung
- 6. Oktober 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/861
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Corning Incorporated
Kyung Hee University - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Corning
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Corning, New York. Corning ist spezialisiert auf Spezialglas, Keramik und optische Fasern für Displays, Telekommunikation, Automobiltechnik, Life Sciences und Umwelttechnik.
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Vertreten von
Greene, Simon Kenneth
Sevenoaks, Großbritannien
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