Speichermatrizen sowie Verfahren zur Herstellung von Speichermatrizen

EP2237315 Art B1 15. November 2017

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2237315
Aktenzeichen
EP10007439
Anmeldetag
9. April 2008
Veröffentlichung
15. November 2017
Erteilung
15. November 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/108H01L21/84H01L27/12H01L29/78H01L29/06
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Micron Technology, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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