Speichermatrizen sowie Verfahren zur Herstellung von Speichermatrizen
EP2237315
Art B1
15. November 2017
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2237315
- Aktenzeichen
- EP10007439
- Anmeldetag
- 9. April 2008
- Veröffentlichung
- 15. November 2017
- Erteilung
- 15. November 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/108H01L21/84H01L27/12H01L29/78H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Fachgebiete
Vertreten von
Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
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