Gegen Gate-Ausfälle Gesicherte Vorrichtungen mit Fin-Transistoren und Verfahren zu Ihrer Herstellung
EP2243154
Art B1
15. März 2017
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2243154
- Aktenzeichen
- EP09712651
- Anmeldetag
- 29. Januar 2009
- Veröffentlichung
- 15. März 2017
- Erteilung
- 15. März 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/66H01L21/336H01L29/78H01L21/8242H01L27/108H01L29/423H01L27/088
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
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