Halbleiterbauelement mit einer vergrabenen Isolierschicht und Verfahren zu seiner Herstellung
EP2244300
Art A3
21. August 2013
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2244300
- Aktenzeichen
- EP10250552
- Anmeldetag
- 23. März 2010
- Veröffentlichung
- 21. August 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/06H01L29/423H01L29/40H01L21/336H01L29/8605// H01L29/08H01L27/115H01L27/088H01L21/8247H01L21/8234
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Calderbank, Thomas Roger
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Betten & Resch · München