Gruppe Iii-Nitrid-Einkristallingot, Gruppe Iii-Nitrid-Einkristallsubstrat, Verfahren zur Herstellung des Gruppe Iii-Nitrid-Einkristallingots und Verfahren zur Herstellung des Gruppe Iii-Nitrid-Einkristallsubstrats
EP2246462
Art A1
3. November 2010
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2246462
- Aktenzeichen
- EP08871801
- Anmeldetag
- 24. Dezember 2008
- Veröffentlichung
- 3. November 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/38C23C16/34C30B25/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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