Verfahren zur Industriellen Herstellung eines Nitridhalbleiterwafers, Nitridhalbleiterwafer, Verfahren zur Herstellung einer Nitridhalbleitervorrichtung und Nitridhalbleitervorrichtung

EP2246877 Art A1 3. November 2010

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2246877
Aktenzeichen: EP09714856
Anmeldetag: 16. Februar 2009
Veröffentlichung: 3. November 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/304

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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