Verfahren zur Herstellung eines SOI-Substrat mit sandgestrahlter Rückseite
EP2246878
Art B1
28. Januar 2015
Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2246878
- Aktenzeichen
- EP10161579
- Anmeldetag
- 30. April 2010
- Veröffentlichung
- 28. Januar 2015
- Erteilung
- 28. Januar 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/304H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
4.655 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Larcher, Dominique
Rennes, Frankreich
564
Patente gesamt
32
Fachgebiete
18
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Vidon Brevets & Stratégie
Vidon Brevets & Stratégie · Rennes