Thermalisierung Gasförmiger Vorläufer in Cvd-Reaktoren
EP2247768
Art A2
10. November 2010
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2247768
- Aktenzeichen
- EP08872771
- Anmeldetag
- 30. Oktober 2008
- Veröffentlichung
- 10. November 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C16/30C23C16/448
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Fachgebiete
Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
478
Patente gesamt
32
Fachgebiete
21
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes