Halbleiterbauelement aus Siliziumkarbid

EP2248178 Art B1 10. Oktober 2018

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2248178
Aktenzeichen
EP09706248
Anmeldetag
14. Januar 2009
Veröffentlichung
10. Oktober 2018
Erteilung
10. Oktober 2018
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L29/739H01L29/417H01L29/36H01L21/336H01L21/04// H01L29/423H01L29/45H01L29/16
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.647 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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