Optoelektronischer Halbleiterkörper mit Tunnelübergang und Verfahren zur Herstellung eines Solchen
EP2248192
Art A1
10. November 2010
Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2248192
- Aktenzeichen
- EP09715687
- Anmeldetag
- 26. Februar 2009
- Veröffentlichung
- 10. November 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- OSRAM Opto Semiconductors GmbH
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM Opto Semiconductors
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
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