Verfahren zur Herstellung einer Harzzusammensetzung mit Teilentladungsresistenz, Harzzusammensetzung mit Teilentladungsresistenz und Isoliermaterial mit Teilentladungsresistenz

EP2248855 Art A8 16. Februar 2011

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, A School Corporation Kansai University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2248855
Aktenzeichen
EP08872604
Anmeldetag
4. August 2008
Veröffentlichung
16. Februar 2011
Rechtsraum
EP
IPC
C08G59/42C08K3/34H05K1/03H01B3/40// H05K1/02
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Kabushiki Kaisha Toshiba
A School Corporation Kansai University
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.649 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik

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