Verfahren zu Herstellung eines FinFETS mit getrennten Gates
EP2253013
Art B1
20. Juli 2011
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2253013
- Aktenzeichen
- EP09711153
- Anmeldetag
- 9. Februar 2009
- Veröffentlichung
- 20. Juli 2011
- Erteilung
- 20. Juli 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
1.451
Patente gesamt
19
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Krott, Michel
NXP Semiconductors · Eindhoven