Dünner Film aus Metall-Silicium-Verbindung und Verfahren zur Herstellung des Dünnen Films aus Metall-Silicium-Verbindung
EP2253589
Art A1
24. November 2010
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2253589
- Aktenzeichen
- EP09714676
- Anmeldetag
- 25. Februar 2009
- Veröffentlichung
- 24. November 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C01B33/06C23C14/28C23C16/42H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
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