Herstellungsverfahren für eine Kondensatoranordnung von ultrahoher Dichte mit auf beiden Seiten eines Substrats ausgebildeten säulenförmigen Kondensatoren
EP2255376
Art B1
4. September 2013
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2255376
- Aktenzeichen
- EP09712370
- Anmeldetag
- 17. Februar 2009
- Veröffentlichung
- 4. September 2013
- Erteilung
- 4. September 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/334H01L23/498H01L27/06H01L27/08H01L29/94H01L29/66// H01L27/02H01L21/768
Abstract
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Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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