Herstellungsverfahren für eine Kondensatoranordnung von ultrahoher Dichte mit auf beiden Seiten eines Substrats ausgebildeten säulenförmigen Kondensatoren

EP2255376 Art B1 4. September 2013

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2255376
Aktenzeichen
EP09712370
Anmeldetag
17. Februar 2009
Veröffentlichung
4. September 2013
Erteilung
4. September 2013
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/02H01L21/334H01L23/498H01L27/06H01L27/08H01L29/94H01L29/66// H01L27/02H01L21/768
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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