Verfahren zur Herstellung von Substratdurchkontaktierungen und für Durchkontaktierungen vorbereiteter Halbleiterchip
EP2255386
Art B1
4. Mai 2016
Anmelder: IMEC 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2255386
- Aktenzeichen
- EP09721429
- Anmeldetag
- 12. März 2009
- Veröffentlichung
- 4. Mai 2016
- Erteilung
- 4. Mai 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L23/48
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IMEC
- Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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Fachgebiete
Vertreten von
Hertoghe, Kris Angèle Louisa
Winksele, Belgien
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