Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats

EP2255395 Art B1 25. April 2012

Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2255395
Aktenzeichen: EP09715749
Anmeldetag: 26. Februar 2009
Veröffentlichung: 25. April 2012
Erteilung: 25. April 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/18H01L27/146

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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