Herstellungsverfahren für Oxidhalbleiterbauelement

EP2256795 Art B1 19. November 2014

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2256795
Aktenzeichen: EP10162610
Anmeldetag: 12. Mai 2010
Veröffentlichung: 19. November 2014
Erteilung: 19. November 2014
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L29/45H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von