Halbleiterbauelement und dessen Herstellungsverfahren
EP2256807
Art A3
17. Mai 2017
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2256807
- Aktenzeichen
- EP10009803
- Anmeldetag
- 19. Dezember 2003
- Veröffentlichung
- 17. Mai 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/12H01L21/84H01L21/336H01L29/786H01L21/20H01L27/146H01L29/66H01L27/144
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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