Oxid-Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

EP2256814 Art B1 16. Januar 2019

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2256814
Aktenzeichen: EP10161738
Anmeldetag: 3. Mai 2010
Veröffentlichung: 16. Januar 2019
Erteilung: 16. Januar 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L29/49H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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