Herstellungsverfahren für eine Integrierte Schaltung mit Lang- und Kurzkanal-Metall-Gate-Elementen
EP2257977
Art B1
8. August 2012
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2257977
- Aktenzeichen
- EP09718840
- Anmeldetag
- 13. März 2009
- Veröffentlichung
- 8. August 2012
- Erteilung
- 8. August 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8234H01L21/336H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Brookes Batchellor LLP · London