Verfahren zur Herstellung von einer Oxydschicht auf einem Siliziumkarbidschicht mittels Temperung in einer Wasserstoffumgebung

EP2259288 Art B1 5. Dezember 2012

Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2259288
Aktenzeichen
EP10179447
Anmeldetag
12. April 2002
Veröffentlichung
5. Dezember 2012
Erteilung
5. Dezember 2012
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/28
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Cree, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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