Nitridhalbleiterkristall und Herstellungsverfahren dafür
EP2261401
Art A1
15. Dezember 2010
Anmelder: Mitsubishi Chemical Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2261401
- Aktenzeichen
- EP09717726
- Anmeldetag
- 2. März 2009
- Veröffentlichung
- 15. Dezember 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/38C23C16/34C30B25/14C30B25/18H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Chemical Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.
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