Verfahren zur Herstellung einer vertikalen MOS-Transistoranordnung

EP2261961 Art B1 17. Juli 2019

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2261961
Aktenzeichen: EP10009591
Anmeldetag: 3. März 2000
Veröffentlichung: 17. Juli 2019
Erteilung: 17. Juli 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/336H01L29/10H01L29/78H01L29/739H01L21/225

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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