Nitrid-Halbleiterelement mit Trägersubstrat und dessen Herstellungsverfahren

EP2262008 Art B1 16. Dezember 2015

Anmelder: Nichia Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2262008
Aktenzeichen: EP10182583
Anmeldetag: 27. Januar 2003
Veröffentlichung: 16. Dezember 2015
Erteilung: 16. Dezember 2015
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/00H01L21/02H01L33/38H01L33/22H01L33/32H01L33/40H01L33/44B82Y20/00// H01L33/10H01L33/46

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

🇯🇵 Nichia

Japanischer Hersteller von LEDs und Halbleiterbauelementen, bekannt als Erfinder der ersten hocheffizienten blauen Leuchtdiode.

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Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Delumeau, François Guy Paris, Frankreich

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Nachrichtentechnik & Telekommunikation Software & Datenverarbeitung Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik

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