Verfahren zur Herstellung einer Galliumnitrid-basierten lichtemittierenden Diode
EP2262013
Art B1
19. September 2012
Anmelder: Samsung LED Co., Ltd., Gwangju Institute of Science and Technology 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2262013
- Aktenzeichen
- EP10181626
- Anmeldetag
- 5. Oktober 2004
- Veröffentlichung
- 19. September 2012
- Erteilung
- 19. September 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/40// H01L33/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Samsung LED Co., Ltd.
Gwangju Institute of Science and Technology - Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Gwangju Institute of Science and Technology
Das Gwangju Institute of Science and Technology ist eine staatliche technische Hochschule in Südkorea mit Schwerpunkt auf Natur- und Ingenieurwissenschaften. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt durch Mess- und Prüftechnik sowie organische Chemie. Anmeldungen reichen von 2004 bis in die Gegenwart.
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Greene, Simon Kenneth
Sevenoaks, Großbritannien
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