Verfahren zum Ätzen von Kohlenstoff-Nanoröhrchenschichten zur Verwendung in Nichtflüchtigen Speichern

EP2263252 Art B1 9. Oktober 2013

Anmelder: SanDisk 3D LLC, Sandisk 3d, Llc 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2263252
Aktenzeichen
EP09730879
Anmeldetag
10. April 2009
Veröffentlichung
9. Oktober 2013
Erteilung
9. Oktober 2013
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/311H01L21/3213H01L27/10H01L27/24H01L45/00B82Y10/00B82Y40/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
SanDisk 3D LLC
Sandisk 3d, Llc
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 SanDisk 3D

SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.

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