Verfahren zur Herstellung einer Speicherzelle mit einem Reversiblen, Selektiv Gezogenen Kohlenstoffnanoröhrchen-Widerstandsschaltelement

EP2263257 Art B1 8. August 2012

Anmelder: SanDisk 3D LLC, Sandisk 3D LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2263257
Aktenzeichen
EP09730256
Anmeldetag
10. April 2009
Veröffentlichung
8. August 2012
Erteilung
8. August 2012
Rechtsraum
EP
IPC
B82Y10/00G11C13/00H01L27/10H01L27/102H01L27/28G11C13/02
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
SanDisk 3D LLC
Sandisk 3D LLC
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 SanDisk 3D

SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.

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