Gruppe Iii-Nitrid-Halbleiterbauelement und Epitaktischer Wafer

EP2264743 Art A1 22. Dezember 2010

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2264743
Aktenzeichen: EP09729983
Anmeldetag: 3. April 2009
Veröffentlichung: 22. Dezember 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/205C30B29/38H01L33/00H01S5/343

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.186 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von