Herstellungsverfahren für Wafer aus Silizium auf Isolator und entsprechender Wafer

EP2264755 Art A3 23. November 2011

Anmelder: Soitec, S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2264755
Aktenzeichen: EP10290492
Anmeldetag: 24. Januar 2007
Veröffentlichung: 23. November 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A.
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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