Galvanische Abscheidung von Dielektrischen Schichten auf Halbleiter-Substrate
EP2265750
Art A1
29. Dezember 2010
Anmelder: PPG Industries Ohio, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2265750
- Aktenzeichen
- EP09723521
- Anmeldetag
- 18. März 2009
- Veröffentlichung
- 29. Dezember 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C25D7/12C25D13/04C25D13/22C09D5/44
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- PPG Industries Ohio, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
PPG Industries
US-amerikanischer Hersteller von Farben, Lacken und Spezialchemikalien mit Sitz in Pittsburgh, Pennsylvania, einer der weltweit größten Beschichtungshersteller.
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