Gan-wafer mit hoher Oberflächenqualität und Fertigungsverfahren dafür

EP2267189 Art B1 29. Oktober 2014

Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2267189
Aktenzeichen
EP10010517
Anmeldetag
4. Juni 2002
Veröffentlichung
29. Oktober 2014
Erteilung
29. Oktober 2014
Rechtsraum
EP
IPC
C09G1/02C30B29/40C30B33/00H01L21/02H01L21/306H01L33/00C09K3/14C30B25/02
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Cree, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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