Grossfläches GaN-Substrat mit einheitlich geringer Versetzungsdichte und Herstellungsverfahren dafür
EP2267190
Art B1
12. August 2015
Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2267190
- Aktenzeichen
- EP10010831
- Anmeldetag
- 12. November 2004
- Veröffentlichung
- 12. August 2015
- Erteilung
- 12. August 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B25/02C30B29/40H01L21/20C23C14/06C23C16/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Cree, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Cree
US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.
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Vertreten von
Golding, Louise Ann
London, Großbritannien
454
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