DRAM-Transistor mit einem in einem Substratgraben ausgebildeten Gatter
EP2267769
Art A3
24. August 2011
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2267769
- Aktenzeichen
- EP10011474
- Anmeldetag
- 29. August 2005
- Veröffentlichung
- 24. August 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8242H01L27/108H01L21/336H01L29/10H01L29/417// H01L29/78H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Beresford, Keith Denis Lewis
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