Hochfrequenz-Feldeffekttransistor
EP2269219
Art B1
25. Januar 2012
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2269219
- Aktenzeichen
- EP09733241
- Anmeldetag
- 15. April 2009
- Veröffentlichung
- 25. Januar 2012
- Erteilung
- 25. Januar 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/482H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
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