Herstellungsverfahren eines nichtplanaren Halbleiterbauelementes mit teilweise oder völlig ummantelnder Gate-Elektrode
EP2270868
Art B1
20. Mai 2015
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2270868
- Aktenzeichen
- EP10011268
- Anmeldetag
- 15. Dezember 2003
- Veröffentlichung
- 20. Mai 2015
- Erteilung
- 20. Mai 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/423H01L29/66H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Boehmert & Boehmert
München, Deutschland
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.
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