Nitrid-Halbleiter-Lichtemissionselement und Herstellungsverfahren davon

EP2270879 Art B1 27. Dezember 2017

Anmelder: Panasonic Corporation, Riken, Panasonic Electric Works Co., Ltd 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2270879
Aktenzeichen
EP09724676
Anmeldetag
23. März 2009
Veröffentlichung
27. Dezember 2017
Erteilung
27. Dezember 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01L33/12H01L33/32// H01L33/02
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Panasonic Corporation
Riken
Panasonic Electric Works Co., Ltd
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Panasonic

Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.

55.053 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 RIKEN

Japanische staatliche Forschungseinrichtung mit Sitz in Wako bei Tokio, aktiv in Physik, Chemie, Biologie und Ingenieurwissenschaften mit zahlreichen Forschungszentren.

1.684 Patente in unserer Datenbank

Kanzlei
Boehmert & Boehmert München, Deutschland

Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.

39.329
Patente gesamt
25
Patentanwälte
2
Standorte

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen