Dotierung und Bandlückenkontrolle von Halbleitern auf Basis von Eisensulfid und dessen Anwendung als photovoltaisches Element

EP2273562 Art A3 25. Mai 2011

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2273562
Aktenzeichen: EP10012446
Anmeldetag: 12. Januar 2007
Veröffentlichung: 25. Mai 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/068// H01L31/032

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.800 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von