Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauelements mit einem Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN

EP2273574 Art B9 18. Dezember 2019

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2273574
Aktenzeichen: EP10182208
Anmeldetag: 16. März 2001
Veröffentlichung: 18. Dezember 2019
Erteilung: 18. Dezember 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/00// H01L33/32H01L33/40H01L33/42

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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