Graphoepitaktische Selbstanordnung von auf einem Substrat Gebildeten Halbzylindern

EP2276690 Art B1 19. September 2012

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2276690
Aktenzeichen
EP09739437
Anmeldetag
20. April 2009
Veröffentlichung
19. September 2012
Erteilung
19. September 2012
Rechtsraum
EP
IPC
B81C1/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Micron Technology, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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