Gate-Struktur für einen Feldeffekttransistor
EP2277193
Art A1
26. Januar 2011
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2277193
- Aktenzeichen
- EP09738528
- Anmeldetag
- 27. April 2009
- Veröffentlichung
- 26. Januar 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L21/265H01L29/51H01L21/3115
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Crawford, Andrew
Nijmegen, Niederlande
618
Patente gesamt
20
Fachgebiete
6
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Williamson, Paul Lewis
NoneEindhoven