Verfahren zur Bestimmung einer zentrierten Position eines Halbleitersubstrats in einem Brennofen, Vorrichtung zur Wärmebehandlung von Halbleitersubstraten und Verfahren zur Eichung einer solchen Vorrichtung.
EP2280411
Art A2
2. Februar 2011
Anmelder: Soitec, S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2280411
- Aktenzeichen
- EP10166909
- Anmeldetag
- 22. Juni 2010
- Veröffentlichung
- 2. Februar 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/68
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Collin, Jérôme
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Regimbeau · Rennes