Verfahren zur Übertragung einer Dünnschicht mittels Protonenaustausch
EP2283172
Art A1
16. Februar 2011
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, Soitec, S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A., COMMISARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2283172
- Aktenzeichen
- EP09742298
- Anmeldetag
- 10. April 2009
- Veröffentlichung
- 16. Februar 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B31/04C30B33/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Soitec
S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A.
COMMISARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Fachgebiete
Kanzlei
GIE Innovation Competence Group
Lyon, Frankreich
827
Patente gesamt
1
Patentanwälte
1
Standorte
Weitere Vertreter
-
Quantin, Bruno Marie Henri
NoneParis