Verfahren zum Erreichen verbesserter epitaxialer Qualität (Oberflächenstruktur und Defektdichte) auf frei stehenden (Aluminium, Indium, Gallium) Nitrid ((Al, In, Ga)N) -Substraten für optoelektronische und elektronische Vorrichtungen
EP2284297
Art B1
22. August 2012
Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2284297
- Aktenzeichen
- EP10011760
- Anmeldetag
- 27. Juni 2001
- Veröffentlichung
- 22. August 2012
- Erteilung
- 22. August 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B23/02C30B23/04C30B28/12C30B28/14C30B29/58C23C14/06C23C14/24C23C16/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Cree, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Cree
US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.
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Golding, Louise Ann
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