Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
EP2284605
Art A3
18. Oktober 2017
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2284605
- Aktenzeichen
- EP10012988
- Anmeldetag
- 22. Februar 2000
- Veröffentlichung
- 18. Oktober 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G02F1/1362H01L27/12H01L29/786G02F1/1333G02F1/1368H01L29/45G02F1/1345H01L27/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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