Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

EP2284605 Art A3 18. Oktober 2017

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2284605
Aktenzeichen
EP10012988
Anmeldetag
22. Februar 2000
Veröffentlichung
18. Oktober 2017
Rechtsraum
EP
IPC
G02F1/1362H01L27/12H01L29/786G02F1/1333G02F1/1368H01L29/45G02F1/1345H01L27/32
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen