Verfahren zur Herstellung eines Silylierten Porösen Isolierenden Films, Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und Silyliertes Material

EP2284874 Art A1 16. Februar 2011

Anmelder: Renesas Electronics Corporation, ULVAC, INC. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2284874
Aktenzeichen: EP09754429
Anmeldetag: 26. Mai 2009
Veröffentlichung: 16. Februar 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/312H01L21/768H01L23/522H01L21/3105H01L23/532

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Renesas Electronics Corporation
ULVAC, INC.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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🇯🇵 ULVAC

Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von