Halbleiterbauelement und dessen Herstellungsverfahren
EP2284891
Art B1
24. Juli 2019
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2284891
- Aktenzeichen
- EP10171256
- Anmeldetag
- 29. Juli 2010
- Veröffentlichung
- 24. Juli 2019
- Erteilung
- 24. Juli 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/12H01L29/786G02F1/1333G02F1/1335G02F1/1337G02F1/1339G02F1/1343G02F1/1345G02F1/1362G02F1/1368H01L29/24G11C19/28G02F1/133
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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