Dualbrückenleistungsverstärker mit dynamisch umschaltbarem Modus
EP2284993
Art B1
12. Dezember 2012
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2284993
- Aktenzeichen
- EP10172681
- Anmeldetag
- 12. August 2010
- Veröffentlichung
- 12. Dezember 2012
- Erteilung
- 12. Dezember 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03F3/30H03F3/60H03F1/02H03F3/181H03F3/68
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
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